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FJI5603D数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

FJI5603D

参数属性

FJI5603D 封装/外壳为TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 800V 3A I2PAK

功能描述

NPN芯片晶体管
TRANS NPN 800V 3A I2PAK

封装外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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FJI5603D规格书详情

特性 Features

•广泛的安全工作区
•存储时间方面的差异小
•内置续流二极管
•高压和高速功率开关的应用
•电子镇流器应用

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FJI5603D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJI5603D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FJI5603D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :Silicon Transistor

  • VCE(sat) Max (V)

    :2.5

  • IC Cont. (A)

    :3

  • VCEO Min (V)

    :800

  • VCBO (V)

    :1600

  • VEBO (V)

    :12

  • VBE(sat) (V)

    :1.2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :20

  • hFE Max

    :35

  • fT Min (MHz)

    :5

  • PTM Max (W)

    :100

  • Package Type

    :I2PAK-3/D2PAK-3 STRAIGHT LEAD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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