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LTC5555	文件：3.58426 Mbytes Page：26 Pages	1.5GHzto7GHzProgrammableGainDownconvertingMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC5555IUFD#PBF	文件：3.58426 Mbytes Page：26 Pages	1.5GHzto7GHzProgrammableGainDownconvertingMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MJE5555	文件：446.37 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR SWITCHINGREGULATORAPPLICATION. HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATION. HIGHSPEEDDC-DCCONVERTERAPPLICATION. FLUORESCENTLIGHTBALLASTORAPPLICATION. FEATURES •ExcellentSwitchingTimes :tstg=2.5S(Max.),tf=0.3S(Max.),atIC=2.5A •HighCollectorVoltage:VCBO=1050V.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
ROX5555S	文件：327.36 Kbytes Page：3 Pages	HighReliabilityOCXO\|SpaceSolutions Features Widefrequencyrangesfrom70to130MHz Lowpowerconsumption:3W Overallfrequencystabilityvs.temperature:±24ppb 15yearsmissionlifeplus2yearsgroundstorage±1ppm Radiation100krad Sinewaveoutput ManufacturedinaccordancewithMIL-PRF-55310 Applic	RAKON Rakon Limited	RAKON
SDA5555	文件：62.07 Kbytes Page：2 Pages	TVTextPro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SMP5555	文件：213.13 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors SmallOutline(SurfaceMount)PackageDevices	InterFET InterFET Corporation	InterFET
T5555	文件：5.98887 Mbytes Page：294 Pages	HighPerformance,LowPowerAtmelAVR8-bitMicrocontrollerAdvancedRISCArchitecture	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
UPD5555	文件：407.55 Kbytes Page：16 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT CMOSTIMERCIRCUIT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD5555	文件：280.85 Kbytes Page：8 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD5555C	文件：280.85 Kbytes Page：8 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
FJD5555TM
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，3.5A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 800mA，3V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
TRANS NPN 400V 5A TO252AA

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