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FJB3307D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FJB3307D
厂商型号

FJB3307D

参数属性

FJB3307D 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 8A D2PAK

功能描述

High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
TRANS NPN 400V 8A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

374.98 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 20:00:00

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FJB3307D规格书详情

FJB3307D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的FJB3307D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Features

• Built-in Diode between Collector and Emitter

• Suitable for Electronic Ballast and Switch-Mode Power Supplies

产品属性

更多
  • 产品编号:

    FJB3307DTM

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 2A,8A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 5A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 8A D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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22+
SOT-263
100000
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