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FII50-12E数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-阵列规格书PDF

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厂商型号

FII50-12E

参数属性

FII50-12E 封装/外壳为i4-Pac™-5;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-阵列;产品描述:IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5

功能描述

IGBT Discretes

封装外壳

i4-Pac™-5

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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技术参数

  • 产品编号:

    FII50-12E

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 阵列

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 配置:

    半桥

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,30A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    i4-Pac™-5

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS i4-PAC™

  • 描述:

    IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5

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