FGY4L100T120SWD_V01中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	FGY4L100T120SWD_V01
功能描述	IGBT – Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), TO247-4L 1200 V, 1.7 V, 100 A
文件大小	242.25 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
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更新时间	2025-11-1 9:38:00
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描述 Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 4−lead package, FGY4L100T120SWD offers

the optimum performance with low switching and conduction losses

for high−efficiency operations in various applications like Solar

Inverter, UPS and ESS.

特性 Features

• Maximum Junction Temperature TJ = 175°C

• Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

• High Current Capability

• Smooth and Optimized Switching

• Low Switching Loss

• RoHS Compliant

Applications

• Solar Inverter

• UPS

• Energy Storage System

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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