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FGY100T120SWD
厂商型号

FGY100T120SWD

功能描述

IGBT - Power, Co-PAK N-Channel, Field Stop VII (FS7), Non-SCR, TO247-3L 1200 V, 1.7 V, 100 A

丝印标识

FGY100T120SWD

封装外壳

TO-247-3LD

文件大小

286.36 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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FGY100T120SWD规格书详情

描述 Description

Using the novel field stop 7th generation IGBT technology and the

Gen7 Diode in TO247 3−lead package, FGY100T120SWD offers the

optimum performance with low switching and conduction losses for

high−efficiency operations in various applications like Solar, UPS,

and ESS.

特性 Features

• Maximum Junction Temperature TJ = 175°C

• Positive Temperature Coefficient for Easy Parallel Operation

• High Current Capability

• Smooth and Optimized Switching

• Low Switching Loss

• RoHS Compliant

Applications

• Boost and Inverter in Solar System

• UPS

• Energy Storage System

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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