FGY160T65SPD-F085 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	面议

厂家型号：
FGY160T65SPD-F085
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON
库存数量：
6000
产品封装：
TO-247
生产批号：
23+
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-7-31 17:10:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：FGY160T65SPD-F085品牌：ON

绝对原装有挂就有正品现货优势

FGY160T65SPD-F085是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ON/onsemi生产封装TO-247/TO-247-3的FGY160T65SPD-F085晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
FGY160T65SPD-F085
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
10 页
文件大小：
3437.39 kb
资料说明：
IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A

产品属性

类型
描述
产品编号：
FGY160T65SPD-F085
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.05V @ 15V，160A
开关能量：
12.4mJ（开），5.7mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
53ns/98ns
测试条件：
400V，160A，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
650V FS GEN3 TRENCH IGBT

供应商

企业：
深圳兆威电子有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
郑小姐
手机：
19926409052
询价：
电话：
0755-82532883
传真：
0755-83203002
地址：
广东深圳龙岗区坂田街道中兴路11号城市山海中心C栋606-608

FGY160T65SPD-F085 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ONSEMI/安森美半导体

FGY160T65SPD-F085

产品属性

供应商

相关型号

相近型号