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FGW40N65WE	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立IGBT	FUJI 富士通	FUJI
GW40N65SEU	文件：1.8828 Mbytes Page：9 Pages	650V/40A Field Stop IGBT Features  650V 40A,VCE(sat)(typ.) = 2.3 V@40A  Field Stop IGBT Technology.  10μs Short Circuit Capability.  Square RBSOA.  Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits  High Efficiency for Welding, Inductive heating, UPS and other high frequency application  Rugged Performanc 文件：1.8828 Mbytes 页数：9 Pages	LUGUANG 鲁光电子	LUGUANG
HMG40N65T	文件：753.21 Kbytes Page：4 Pages	650V 40A trench gate field cut-off type IGBT 文件：753.21 Kbytes 页数：4 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HMS40N65T	文件：958.9 Kbytes Page：7 Pages	650V N-Channel super junction MOSFET 文件：958.9 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

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更多FGW40N65WE供应商更新时间2025-11-7 16:00:00