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FGA15N120ANTDTU_F109

Extremely enhanced avalanche capability

文件:938.21 Kbytes 页数:10 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

FGA15N120ANTDTU-F109

丝印:FGA15N120ANTDTU;Package:TO-3P;1200 V, 15 A NPT Trench IGBT

文件:907.45 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FGA15N120ANTDTU-F109

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 30A 186W TO3P

ONSEMI

安森美半导体

FGA180N33ATTU

TO-3P

Fairchild Semiconductor

上传:深圳市乐创天科技有限公司

Fairchild Semiconductor

FGA180N33ATTU

TO-3P

Fairchild仙童

上传:深圳市乐创天科技有限公司

Fairchild仙童

产品属性

  • 产品编号:

    FGA15N120ANTDTU-F109

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT 和沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    3mJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/160ns

  • 测试条件:

    600V,15A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 30A 186W TO3P

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更多FGA15N120ANTDTU_F109供应商 更新时间2025-12-11 14:30:00