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深圳市华来深电子有限公司

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FAIRCHITO-3P

6688

23+

原包装原标签特价销售

深圳市柯尔基电子有限公司

10年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P

9865

23+/24+

原装正品,专业分销其他被动元件

深圳市科恒伟业电子有限公司

2年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P

7500

22+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市中联芯电子有限公司

9年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P

1761

24+

原装现货假一罚百

深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

12年 留言
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500

2015+

公司现货库存

深圳市亿智腾科技有限公司

8年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P-3L

3580

2021+

原装现货/15年行业经验欢迎询价

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P

9000

2021+

原装现货,随时欢迎询价

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P

1167

2024+实力库存

只做原厂渠道 可追溯货源

深圳市赛尔通科技有限公司

14年 留言
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FAIRCHILDTO-3P

65400

23+

深圳市荣泽信电子科技有限公司

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FSCN/A

15000

13+

全新原装的现货

深圳市天成基业科技有限公司

2年 留言
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FAIRCHILD/仙童TO-3P

1800

21+

全新、原装

深圳市芯祺盛科技有限公司

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FAIRCHILDTO-3P

1800

20+

原装库存有订单来谈优势

上海磐岳电子有限公司

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FSCTO-3P

5800

2023+

进口原装,现货热卖

深圳市旺财半导体有限公司

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FAITO-3P

9465

23+

正品原装货价格低qq:2987726803

深圳市兴灿科技有限公司

5年 留言
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FAIRCHILDTO-3P

36000

23+

全新原装

深圳市兴灿科技有限公司

5年 留言
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FAIRCHILDTO-3P

36000

23+

全新原装

深圳市勤思达科技有限公司

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FGA15N120ANTDTU

仙童TO-3P

10000

2014+

主营MOS管,一级代理仙童,现货供应FGA15N120ANTDTU,全新原装正品,大量现货库存热卖。

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-3P

928

23+

原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务

深圳市昌和盛利电子有限公司

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FSCETO3P

59526

23+

原装正品价格优惠,长期优势供应

深圳市中利达电子科技有限公司

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    李先生

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FAIRCHILD/仙童TO-3P

76000

23+

IR英飞凌VISHAY专做 全新原装进口正品假一赔百,可开13

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FGA15N120ANTDTU_F109价格

FGA15N120ANTDTU_F109价格:¥12.2245品牌:Fairchild

生产厂家品牌为Fairchild的FGA15N120ANTDTU_F109多少钱,想知道FGA15N120ANTDTU_F109价格是多少?参考价:¥12.2245。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FGA15N120ANTDTU_F109批发价格及采购报价,FGA15N120ANTDTU_F109销售排行榜及行情走势,FGA15N120ANTDTU_F109报价。

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FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD代理 1月真实低价进口原装 明硅园科技

全新原装进口,百分百正品。欢迎询购!

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全新原装现货库存,数量:7500PCS封装:TO-3P品牌:FAIRCHILD标准包装30类别分立半导体产品家庭IGBT-单路系列-包装管件IGBT类型NPT和沟道电压-集射极击穿(最大值)1200V电流-集电极(Ic)(最大值)

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FGA15N120ANTD数量7200 FAIRCHILD 11+ TO-3P 公司名:深圳市铭樂电子有限公司 地址:深圳华强北 TELL:0755-83230072 QQ:510518949

FGA15N120ANTDTU中文资料Alldatasheet PDF

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FGA15N120AND制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT

FGA15N120ANDTU功能描述:IGBT 晶体管 NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

FGA15N120ANTD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT

FGA15N120ANTD_07制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT

FGA15N120ANTD_1制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT

FGA15N120ANTD_F109制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT

FGA15N120ANTDTU功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

FGA15N120ANTDTU_F109功能描述:IGBT 晶体管 1200V NPT Trench RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube