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MBR10H60	文件：146.75 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifier SchottkyBarrierRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Guardringforovervoltageprotection •Lowerpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequ	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H60	文件：1.20643 Mbytes Page：3 Pages	Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlossandhighefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Fo	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR10H60	文件：159.13 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H60	文件：72.45 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequenc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10H60CT	文件：515.179 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS Features Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBRB10H60	文件：1.20661 Mbytes Page：3 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 SchottkyBarrierRectifiers Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlossandhighefficiency •Guardringforovervoltageprotection •Fo	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBRB10H60	文件：72.45 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers HighVoltageSchottkyRectifier HighBarrierTechnologyforImprovedHighTemperaturePerformance FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Highfrequenc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
FFPF10H60STU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2 整包
供应商器件封装：
TO-220F-2L
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F

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