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FFP08S60SN中文资料8A,600V,STEALTH™ II 二极管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FFP08S60SN

参数属性

FFP08S60SN 封装/外壳为TO-220-2;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L

功能描述

8A,600V,STEALTH™ II 二极管
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L

封装外壳

TO-220-2

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 17:39:00

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FFP08S60SN规格书详情

描述 Description

FFP08S60SN 是代软恢复特性的 STEALTH™ II 代二极管。它采用氮化硅钝化的离子布植式外延平面结构。此器件在开关电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。其低存储电荷和超高速软恢复特性可最大程度降低多种电源开关电路中的振铃和电气噪声,由此降低开关晶体管中的功耗。

特性 Features

•Stealth 恢复,Trr = 25 ns(需 IF= 8 A)
•最大正向电压,VF = 3.4 V(需 TC = 25°C)
•600 V 反向电压和高可靠性
•提高了dv/dt处理能力
•符合RoHS标准

应用 Application

• LCD 电视

简介

FFP08S60SN属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的FFP08S60SN二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FFP08S60SN

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Type

    :Single

  • IO(rec) Max (A)

    :8

  • trr Max (ns)

    :25

  • VRRM Max (V)

    :600

  • VFM Max (V)

    :3.4

  • IFSM Max (A)

    :60

  • IR Max (mA)

    :0.1

  • Package Type

    :TO-220-2

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