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MMDT3946	文件：298.61 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNPNP) SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●ComplementaryPair ●One3904-TypeNPN One3906-TypePNP ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3946	文件：808.23 Kbytes Page：5 Pages	SmallSurfaceMountTransistor FEATURES ●Complementarypair. ●One3904-TypeNPN. One3906-TypePNP. ●Idealforlowpoweramplificationandswitching. ●Ultra-Smallsurfacemountpackage. ●Expitaxialplanardieconstruction. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDT3946	文件：908.96 Kbytes Page：5 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3946	文件：368.48 Kbytes Page：6 Pages	NPN/PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT3946	文件：181.41 Kbytes Page：5 Pages	SmallSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT3946	文件：1.40657 Mbytes Page：4 Pages	NPNPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ComplementaryPair One3904-TypeNPN One3906-TypePNP EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
MMDT3946DV	文件：306.14 Kbytes Page：5 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNPNP) Features ComplementaryPair One3904-TypeNPN One3906-TypePNP EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
MMDT3946DW	文件：378.77 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementaryPair One3904-TypeNPN One3906-TypePNP EpitaxialPlanarDieConstruction IdealforLowPowerAmplificationandSwitching	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
NST3946	文件：667.15 Kbytes Page：5 Pages	DUALTRANSISTOR	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PMBT3946VPN	文件：269.55 Kbytes Page：12 Pages	40V,200mANPN/PNPswitchingtransistor 1.Generaldescription NPN/PNPdoubleswitchingtransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. NPN/NPNcomplement:PMBT3904VS PNP/PNPcomplement:PMBT3906VS 2.Featuresandbenefits •Doublegeneral-purposeswitchingtransistor •Board-space	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
FFB3946
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多FFB3946供应商更新时间2025-5-29 10:02:00

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