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FFB3946	文件：42.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN & PNP General Purpose Amplifier ThiscomplementarydeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchTheusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchand100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23and66.SeeFFB3904(NPN)andFFB3906(PNP)forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB3946D	文件：234.81 Kbytes Page：12 Pages	Dual General Purpose Transistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FFB3946DW1T1G	文件：234.81 Kbytes Page：12 Pages	Marking：46；Package：SOT-363；Dual General Purpose Transistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FFB3946DW1T3G	文件：234.81 Kbytes Page：12 Pages	Marking：46；Package：SOT-363；Dual General Purpose Transistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FMB3946	文件：30.19 Kbytes Page：2 Pages	NPN&PNPComplementaryDualTransistorSuperSOT-6SurfaceMountPackage ThiscomplementarydeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchTheusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchand100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23and66.SeeFFB3904(NPN)andFFB3906(PNP)forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3946	文件：42.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN&PNPGeneralPurposeAmplifier ThiscomplementarydeviceisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchTheusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchand100MHzasanamplifier.SourcedfromProcess23and66.SeeFFB3904(NPN)andFFB3906(PNP)forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT3946DW	文件：1.14418 Mbytes Page：14 Pages	DualNPNPNPSMDTransistor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FTSO3946	文件：307.88 Kbytes Page：9 Pages	NPNSmallSignalGeneralPurposeAmplifier&Switch NPNSmallSignalGeneralPurposeAmplifier&Switch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LP3946	文件：337.38 Kbytes Page：15 Pages	BatteryChargeManagementSystem	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LP3946ILDX	文件：337.38 Kbytes Page：15 Pages	BatteryChargeManagementSystem	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

详细参数

型号：
FFB3946
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FFB3946供应商更新时间2025-5-8 15:00:00

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