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FF650R17IE4D_B2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FF650R17IE4D_B2

参数属性

FF650R17IE4D_B2 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1700V 650A

功能描述

IGBT模块
IGBT MODULE 1700V 650A

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 17:06:00

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FF650R17IE4D_B2规格书详情

描述 Description

PrimePACK™ 2 1700 V, 650 A half-bridge dual IGBT module especially developed for Traction applications. Including TRENCHSTOP™ IGBT4, NTC and fast switching chip. Also available with Thermal Interface Material.

特性 Features

• Extended operation temperature Tvj op
• High DC stability
• High current density
• Low switching losses
• Tvj op= 150°C
• Enlarged diode for regenerative operation
• Low VCEsat
• Package with CTI > 400
• High creepage and clearance distances
• High power and thermal cycling capability
• Copper base plate
• UL recognized

优势:
• High power density
• Standardized housing

简介

FF650R17IE4D_B2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF650R17IE4D_B2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF650R17IE4D_B2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1700 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :650 A

  • OPN

    :FF650R17IE4DB2BOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :2 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • Qualification

    :Industrial/Traction

  • Housing

    :PrimePACK™ 2

  • Dimensions length

    :172 mm

  • Dimensions width

    :89 mm

  • Package name

    :AG-PRIME2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
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