FF600R12ME4_B73中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

描述 Description

EconoDUAL™ 3 1200V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology.

特性 Features

• Low V CEsat
• T vj op = 150°C
• V CEsatwith positive Temperature Coefficient
• High Power Density
• Isolated Base Plate
• Standard Housing

优势:
• Compact Modules
• Easy and most reliable assembly
• No Plugs and Cables required
• Ideal for Low Inductive System Designs

简介

FF600R12ME4_B73属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF600R12ME4_B73晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。