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FF650R17IE4中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FF650R17IE4

参数属性

FF650R17IE4 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1700V 4150W

功能描述

IGBT模块
IGBT MODULE 1700V 4150W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 20:00:00

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FF650R17IE4规格书详情

描述 Description

PrimePACK™ 2 1700 V, 650 A 半桥双管 IGBT 模块,采用第四代 TRENCHSTOP™ IGBT, 温度检测NTC 和 快速开关芯片。带有热界面材料。

特性 Features

• 扩展工作温度 Tvj op
• 高直流稳定性
• 高电流密度
• 低开关损耗
• Tvj op= 150°C
• 低饱和压降
• 封装的 CTI > 400
• 高爬电距离和电气间隙
• 高功率和温度周次能力
• 铜基板
• UL 认证

优势:
• 高功率密度
• 标准化外壳

简介

FF650R17IE4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF650R17IE4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF650R17IE4

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1700 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT4 - E4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :650 A

  • OPN

    :FF650R17IE4BOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :2 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.85 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :PrimePACK™ 2

  • Dimensions length

    :172 mm

  • Dimensions width

    :89 mm

  • Package name

    :AG-PRIME2

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