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FF50R12RT4数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
FF50R12RT4规格书详情
描述 Description
Our well-known 34 mm 1200V dual IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode are the right choice for your design.
特性 Features
• Extended Operation Temperature T vj op
• Low Switching Losses
• Low V CEsat
• T vj op = 150°C
• V CEsat with positive Temperature Coefficient
• Isolated Base Plate
• Standard Housing
优势:
• Flexibility
• Optimal electrical performance
• Highest reliability
简介
FF50R12RT4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF50R12RT4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：FF50R12RT4
- 生产厂家
：Infineon
- Green
：yes
- Halogen-free
：no
- Voltage Class
：1200 V
- Configuration
：Dual
- Technology
：IGBT4 - T4
- IC(nom) / IF(nom)
：50 A
- OPN
：FF50R12RT4HOSA1
- VCE(sat) Tvj=25°C typ
：1.85 V
- VF Tvj=25°C typ
：1.75 V
- Qualification
：Industrial
- Housing
：34 mm
- Dimensions length
：94 mm
- Dimensions width
：34 mm
- Package name
：AG-34MM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
MODULE |
30 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
1200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
INFINEON |
25+23+ |
MODULE |
34967 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
英飞凌 |
模块 |
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全新原装正品 数量多可订货 一级代理优势 |
询价 | |||
infineon |
23+ |
34MM |
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询价 | ||
EUPEC/欧派克 |
19+ |
MODULE |
1290 |
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INFINEON |
24+ |
N/A |
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一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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