| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
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INFINEON/英飞凌IGBT模块 |
36 |
2235+ |
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7年
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INFINEON/英飞凌IGBT |
3000 |
25+ |
全新原装正品支持含税 |
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17年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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18年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
全新进口原装绝对公司现货特价! |
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6年
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Infineon(英飞凌)N/A |
26500 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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8年
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
24+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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7年
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-1 |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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9年
留言
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INFINEON模块 |
9860 |
14+ |
大量原装进口现货,一手货源,一站式服务,可开17%增 |
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13年
留言
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英飞凌IGBT模块 |
987 |
21+ |
全新原装鄙视假货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-1 |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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16年
留言
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IGBT |
55 |
23+ |
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7年
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Infineon(英飞凌)AG-62MM-1 |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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18年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
10 |
2049+ |
正规报关原装现货系列终端客户可以技术支持 |
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10年
留言
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INFINEON62MM |
1000 |
14 |
自己库存,原装正品假一赔百0755-27210160田生 |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
18 |
22+ |
经测试国产完美替代进口,包上机 |
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13年
留言
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INFINEONIGBT |
1896 |
23+ |
公司优势库存热卖全新原装!欢迎来电 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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8年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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6年
留言
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INFINEON原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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更多FF400R06KE3功能描述:IGBT 模块 600V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF400R06KF2功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW060
FF400R06KF3功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL093HW060
FF400R06KL2功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C)
FF400R06ME3功能描述:IGBT 模块 IGBT 600V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF400R07KE4功能描述:IGBT 模块 IGBT Module 400A 650V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF400R12KE3功能描述:IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF400R12KE3_B2功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF400R12KF4功能描述:IGBT 模块 1200V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
FF400R12KL4C功能描述:IGBT 模块 1200V 400A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
