FF150R12KS4中文资料1200 V 双管 IGBT 模块数据手册Infineon规格书

描述 Description

半桥 62 mm 1200 V, 150 A 双管 IGBT 模块，采用第二代高速 I1200GBT，满足用于高频开关应用场合的设计需求，是您设计的理想选择。

特性 Features

• 高短路能力
• 自限制短路电流
• 低开关损耗
• 无与伦比的坚固性
• VCEsat 带正温度系数
• 封装的 CTI > 400
• 高爬电距离和电气间隙
• 绝缘基板
• 铜底板
• 标准外壳

优势:
• PrimeSTACK™s 可用于快速开发，只需极少的投入
• 灵活性
• 优化的电气性能
• 高可靠性

应用 Application

• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
• 不间断电源(UPS)
• 商用、工程和农用车辆(CAV)
• 工业加热和焊接

简介

FF150R12KS4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF150R12KS4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。