FESB8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FESB8JT |
| 参数属性 | FESB8JT 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB |
| 功能描述 | FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
86.04 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | GE Industrial Company |
| 企业简称 |
GE |
| 中文名称 | GE Industrial Company官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-26 17:14:00 |
| 人工找货 | FESB8JT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FESB8JT规格书详情
FEATURES
♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0
♦ Glass passivated chip junction
♦ Low leakage, high voltage
♦ High surge current capability
♦ Superfast recovery time, for high efficiency
♦ High temperature soldering in accordance with CECC 802 / Reflow guaranteed
产品属性
- 产品编号：
FESB8JT-E3/81
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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