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FESB8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

FESB8JT

参数属性

FESB8JT 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

功能描述

FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

86.04 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

GE

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更新时间

2025-10-6 14:10:00

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FESB8JT规格书详情

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

♦ Glass passivated chip junction

♦ Low leakage, high voltage

♦ High surge current capability

♦ Superfast recovery time, for high efficiency

♦ High temperature soldering in accordance with CECC 802 / Reflow guaranteed

产品属性

  • 产品编号:

    FESB8JT-E3/81

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    TO-263AB(D²PAK)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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