FESB16JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
FESB16JT |
参数属性 | FESB16JT 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB |
功能描述 | 16.0 Amperes Surface Mount Type Positive Ultra Fast Recovery Rectifier Diode |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
382.77 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Thinki Semiconductor Co., Ltd. |
企业简称 |
THINKISEMI【思祁半导体】 |
中文名称 | 思祁半导体有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-29 18:34:00 |
人工找货 | FESB16JT价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
FESB16JT-E3/81
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
管件
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
16A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
145pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AB(D²PAK)
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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