FESB16DT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
FESB16DT |
| 参数属性 | FESB16DT 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB |
| 功能描述 | 16.0 Amperes Surface Mount Type Positive Ultra Fast Recovery Rectifier Diode |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
382.77 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Thinki Semiconductor Co., Ltd. |
| 企业简称 |
THINKISEMI【思祁半导体】 |
| 中文名称 | 思祁半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | FESB16DT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
FESB16DT-E3/81
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
管件管件
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
16A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
175pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
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原厂 |
23+ |
标准封装 |
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24+ |
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FESB16DTHE3/81 |
7200 |
7200 |
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