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FES8JT分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

FES8JT
厂商型号

FES8JT

参数属性

FES8JT 封装/外壳为TO-220-2;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP TO220AC

功能描述

Ultrafast Plastic Rectifier

封装外壳

TO-220-2

文件大小

143.69 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
VISHAY
数据手册

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更新时间

2025-8-2 9:48:00

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FES8JT规格书详情

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and ITO-220AC package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency rectifier of switching mode power supplies, inverters, freewheeling diodes, dc-to-dc converters, and other power switching application.

产品属性

  • 产品编号:

    FES8JT-13HE3/45

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220AC

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP TO220AC

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