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FFM101	文件：43.21 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere FEATURES Glasspassivateddevice Idealforsurfacemountedapplications Lowleakagecurrent Metallurgicallybondedconstruction Mountingposition:Any Weight:0.066gram	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
FFM101	文件：145.66 Kbytes Page：2 Pages	1.0AGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
FFM101	文件：162.83 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers Features ●Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. ●Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. ●TinyplasticSMDpackage. ●Highcurrentcapability. ●Fastswitchingforhigheff	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
FFM101	文件：368.94 Kbytes Page：2 Pages	SUFACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
FFM101	文件：71.31 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedSuperFastRectifiersReverseVoltage50to1000VForwardCurrent1.0A	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
FFM101AFG	文件：4.11952 Mbytes Page：3 Pages	ChipSiliconRectifier	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FFM101AG	文件：1.93149 Mbytes Page：2 Pages	1.0ASurfaceMountFastRecoveryRectifiers-50-1000V	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FFM101B	文件：383.26 Kbytes Page：8 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM101L	文件：329 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDFASTRECOVERYSILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT1.0Ampere	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FFM101L	文件：1.01636 Mbytes Page：4 Pages	1.0ASUFRACEMOUNTFASTRECOVERYRECTIFIERS-50-1000V Features •Batchprocessdesign,excellentpowerdissipationoffersbetterreverseleakagecurrentandthermalresistance. •Lowprofilesurfacemountedapplicationinordertooptimizeboardspace. •Highcurrentcapability. •Fastswitchingforhighefficiency. •Highsurgecurren	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS

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详细参数

型号：
FDY101PZ
功能描述：
MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDY101PZ供应商更新时间2025-7-26 17:26:00

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