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FDW252P	文件：229.29 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET GeneralDescription ThisP-Channel2.5VspecifiedMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features •–8.8A,–20V.RDS(ON)=0.012Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FKP252	文件：338.35 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FKP252	文件：242.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FKP252	文件：343.79 Kbytes Page：9 Pages	MOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FR252	文件：24.49 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT2.5Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FR252	文件：47.82 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES PRV:50-1000Volts Io:2.5Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FR252	文件：50.14 Kbytes Page：2 Pages	2.5AFASTRECOVERYDIODES 2.5AFASTRECOVERYDIODES	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
FR252	文件：199.8 Kbytes Page：3 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-2.5Amperes Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique •2.5ampereoperationatTA=85withn	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
FR252	文件：314.97 Kbytes Page：2 Pages	CURRENT2.5AmperesVOLTAGE50to1000Volts Features •Fastswitching •Lowleakage •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highcurrentsurge •Highreliability	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
FR252	文件：60.05 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGERANGE:50---1000V CURRENT:2.5A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇EasilycleanedwithFreon,Alcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
FDW252P
功能描述：
MOSFET TSSOP-8 P-CH 2.5V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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