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IRF6612	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6612combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeo	IRF International Rectifier	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant	IRF International Rectifier	IRF
IRF6612TRPBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
ISL6612	文件：322.71 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6612	文件：559.13 Kbytes Page：30 Pages	VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoring VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334,ISL6334Acontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresult	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6612	文件：601.58 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6612	文件：363.27 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures TheISL6612andISL6613arehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcompl	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6612A	文件：325.58 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL6612A	文件：266.29 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
FDU6612A_Q
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDU6612A_Q供应商更新时间2025-5-16 14:50:00

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