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厂商型号

FDT458P

功能描述

30V P-Channel PowerTrench® MOSFET

丝印标识

458P

文件大小

261.13 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 15:57:00

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FDT458P规格书详情

General Description

This P-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery chargers.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.

Applications

· Battery chargers

· Motor drives

特性 Features

· 3.4 A, –30 V. RDS(ON) = 130 mW @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 200 mW @ VGS = 4.5 V

· Fast switching speed

· Low gate charge (2.5 nC typical)

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· High power and current handling capability in a widely used surface mount package

产品属性

  • 型号:

    FDT458P

  • 功能描述:

    MOSFET 30V P-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT-223
30000
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SOT-223
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