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FDS6930A-NL	文件：710.18 Kbytes Page：5 Pages	DualN-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=30V,ID=6.5A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDS6930B	文件：532.92 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltagea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FTK6930	文件：589.88 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
KIA6930P	文件：177.18 Kbytes Page：8 Pages	BIPOLARLINEARINTEGRATEDCIRCUIT(STEREOSOUNDCONTROLSYSTEM) STEREOSOUNDCONTROLSYSTEM	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
LTC6930	文件：367.34 Kbytes Page：28 Pages	TimerBlox:LongTimer,LowFrequencyOscillator	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC6930	文件：178.43 Kbytes Page：12 Pages	32.768kHzto8.192MHzPrecision關PowerOscillators	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC6930	文件：982.91 Kbytes Page：30 Pages	TimerBlox:VoltageControlledSiliconOscillator FEATURES -Fixed-FrequencyorVoltage-ControlledOperation -Fixed:SingleResistorProgramsFrequencywith	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC6930	文件：1.64819 Mbytes Page：28 Pages	TimerBlox:LongTimer,LowFrequencyOscillator FEATURES -PeriodRange:1msto9.5Hours -TimingResetbyPower-OnorResetInput -Configuredwith1to3Resistors -	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC6930	文件：661.53 Kbytes Page：24 Pages	TimerBlox:Resettable,LowFrequencyOscillator FEATURES -PeriodRange:1msto9.5Hours -Configuredwith1to3Resistors -	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC6930	文件：755.02 Kbytes Page：28 Pages	TimerBlox:DelayBlock/Debouncer DESCRIPTION TheLTC®6994isaprogrammabledelayblockwitharangeof1µsto33.6seconds.TheLTC6994ispartoftheTimerBlox®familyofversatilesilicontimingdevices. FEATURES ■DelayRange:1µsto33.6Seconds ■Configuredwith1to3Resistors ■DelayMaxError: –512µs –	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
FDS6930A_Q
功能描述：
MOSFET SO-8 DUAL N-CH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS6930A_Q供应商更新时间2025-5-22 17:37:00

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