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FDP8D5N10C中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDP8D5N10C

功能描述

N-Channel Shielded Gate PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 76 A, 8.5 m廓

丝印标识

FDP8D5N10C

封装外壳

TO-220

文件大小

1.02235 Mbytes

页面数量

8 页

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2026-10-2 20:00:00

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