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FDP14AN06LA	文件：250.03 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,60A,14.6m? Features •rDS(ON)=12.8mΩ(Typ.),VGS=5V,ID=60A •Qg(tot)=24nC(Typ.),VGS=5V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •Motor/BodyLoadControl •ABSSystems •PowertrainManagement •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
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