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FDH047AN08A0	文件：606.43 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET75V,80A,4.7m? Features •rDS(ON)=4.0mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A •Qg(tot)=92nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •42VAutomotiveLoadControl •Starter/Altern	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDH047AN08A0	文件：344.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.7Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
FDP047AN08A0_G
制造商：
Fairchild Semiconductor Corporation
功能描述：
75V N-Channel PowerTrenchR MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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