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FDN337N-NL	文件：1.85533 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FRW337	文件：273.12 Kbytes Page：5 Pages	SAWResonator-RemoteControl	TEMEX temex	TEMEX
GBC337	文件：186.37 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR Description TheGBC337isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers. Features HighDCCurrentGain:100~630@VCE=1V,IC=100mA ComplementarytoGBC327	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GBC337	文件：188.87 Kbytes Page：3 Pages	TheGBC337isdesignedfordriveandoutput-stagesofaudioamplifiers	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GHI-ALFATOEM-337	文件：57.53 Kbytes Page：1 Pages	ALFATOEMBoard	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
H337	文件：92.22 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR SWITCHINGANDAMPLFIERAPPLICATIONS SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HBC337	文件：37.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHBC337isdesignedfordriverandoutput-stageofaudioamplifiers. Features •HighDCCurrentGain:100-600atIC=100mA,VCE=1V •ComplementarytoHBC327	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HC-337	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HC-337M	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HGN-337	文件：250.15 Kbytes Page：2 Pages	IEC60320INLETSOCKETWITHSWITCHANDAFUSEHOLDER,SNAP-INMOUNT	POWERDYNAMICS PowerDynamics, Inc	POWERDYNAMICS

详细参数

型号：
FDN337N_Q
功能描述：
MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDN337N_Q供应商更新时间2025-5-24 14:04:00

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