丝印：FDMS9408；Package：Power56；N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件：582.93 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FDMS9408L；Package：Power56；N-Channel Logic Level PowerTrench짰 MOSFET

文件：566.09 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.8mΩ

FDMS9408_F085

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，40V，80A，1.7mΩ

FDMS9408L_F085 典型 RDS(on) = 1.3 mΩ VGS = 10 V、ID = 80 A\n典型 Qg(tot) = 83 nC VGS = 10 V、ID = 80 A\nUIS 能力\n符合 RoHS 标准\n符合 AEC Q101 标准;

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安森美半导体