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FDMS86368_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V，80 A，4.5mΩ N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 80A, 4.5 mΩ • 典型值 RDS(on) = 3.7 mΩ（VGS = 10V, ID = 80 A 时）\n• 典型值 Qg(tot) = 57 nC（VGS = 10V, ID = 80 A 时）\n• UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n• 符合 AEC Q10 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS86368_F085	文件：535.32 Kbytes Page：6 Pages	Primary Switch for 12V Systems 文件：535.32 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS9600S	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON QFN8	ON 上传：深圳市华来深电子有限公司	ON
FDN304P	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON SOT23-3	ON 上传：深圳市科达星科技有限公司	ON
FDN304P-NL	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD/仙童 SOT	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市品优时代科技有限公司	FAIRCHILD/仙童

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
80
PD Max (W)：
214
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.5
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
57
Ciss Typ (pF)：
4350
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMS86368_F085供应商更新时间2025-6-16 9:50:00

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