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FDMS86101_ON/安森美_MOSFET 100/20V Nch Power Trench百诺芯三部
- 详细信息
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原厂料号:FDMS86101品牌:ON/安森美
原装正品代理渠道价格优势
- 芯片型号:
FDMS86101
- 规格书:
- 企业简称:
ONSEMI【安森美半导体】详情
- 厂商全称:
ON Semiconductor
- 中文名称:
安森美半导体公司
- 内容页数:
10 页
- 文件大小:
561.648 kb
- 资料说明:
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):12.4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,13A N 沟道,PowerTrench MOSFET,100V,60A,8mΩ 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
FDMS86101
- 功能描述:
MOSFET 100/20V Nch Power Trench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市百诺芯科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
张先生
- 手机:
19926463211
- 询价:
- 电话:
0755-23914921
- 地址:
深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场2002A
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