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FDMS5362L_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V、17.6 A、26 mΩ、Power 56N 沟道 UltraFET® FDMS5362L_F085 典型值 rDS(on) = 26 mΩ，需 VGS = 10 V，ID = 17.6 A\n 典型值 Qg(tot) = 17 nC，需 VGS = 10 V，ID = 17.6 A\n UIS 能力\n 符合 RoHS 标准\n 符合 AEC Q101 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS5362L_F085	文件：481.09 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 文件：481.09 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS5362L-F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS6681Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD QFN-8	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市中联芯电子有限公司	Fairchild
FDMS7682	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 QFN	ON/安森美上传：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
60V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
22
PD Max (W)：
41.7
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
878
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMS5362L_F085供应商更新时间2025-10-5 14:16:00

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