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FDMS36101L_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，38A，26mΩ FDMS36101L_F085 典型 rDS(on) = 18 mΩ（需 VGS = 10 V、ID = 20 A）\n典型 Qg(tot) = 70 nC（需 VGS = 10 V、ID = 20 A）\n UIS 能力\n 符合 RoHS 标准\n 符合 AEC Q101;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS36101L_F085	文件：421.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Trench MOSFET 100V, 38A, 26m 文件：421.42 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS3669S	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON QFN-8	ON 上传：深圳市科芯源微电子有限公司	ON
FDMS6681Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD QFN-8	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市中联芯电子有限公司	Fairchild
FDMS7682	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 QFN	ON/安森美上传：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
100V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
38
PD Max (W)：
94
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
3945
Package Type：
PQFN-8

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