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FDMS3016DC中文资料N 沟道,双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET,30V,49A,6.0mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS3016DC

功能描述

N 沟道,双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET,30V,49A,6.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:00:00

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FDMS3016DC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性 Features

Dual Cool™ 顶侧冷却PQFN封装
VGS = 10V,ID = 12 A时,最大rDS(on) = 6.0mΩ
VGS = 4.5 V,ID = 10 A时,最大rDS(on) = 9.0mΩ
通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
符合 RoHS 标准

应用 Application

服务器

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS3016DC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET 30V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :49

  • PD Max (W)

    :60

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :9Q1=Q2=9

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7.6

  • Ciss Typ (pF)

    :1038

  • Package Type

    :PQFN-8

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