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FDMS2D5N08C中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，166A，2.7mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS2D5N08C规格书详情
描述 Description
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor's advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
• Max rDS(on) = 2.7 mΩ at VGS = 10 V, ID = 68 A
• Max rDS(on) = 6.7 mΩ at VGS = 6 V, ID = 34 A
• 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
• Lower switching noise/EMI
• MSL1 robust package design
• 100% UIL tested
• RoHS Compliant
应用 Application
• Primary DC-DC MOSFET
• Synchronous Rectifier in DC-DC and AC-DC
• Motor Drive
• Solar
技术参数
- 制造商编号
：FDMS2D5N08C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：166
- PD Max (W)
：138
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2.7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：54
- Ciss Typ (pF)
：4455
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ONSemi |
24+ |
DFN |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
ON |
14+ |
DFN |
65 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
onsemi |
23+ |
970 |
加QQ:78517935原装正品有单必成 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
DFN |
20000 |
询价 | |||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
original |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
