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FST8360SM	文件：144.8 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE80A	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRHM8360	文件：332.73 Kbytes Page：12 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED 400Volt,0.22Ω,MEGARADHARDHEXFET InternationalRectifier’sRADHARDtechnologyHEXFETsdemonstrateexcellentthresholdvoltagestabilityandbreakdownvoltagestabilityattotalradiaitiondosesashighas1x106Rads(Si).Underidenticalpre-andpost-irradiationtestconditions,Internationa	IRF International Rectifier	IRF
MA8360	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8360	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8360	文件：268.2 Kbytes Page：5 Pages	SiliconplanartypeForstabilizationofpowersupply	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
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详细参数

型号：
FDMC8360L
功能描述：
MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
40 V
漏极连续电流：
80 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
3.1 mOhms
配置：
Single
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
Power-33
封装：
Reel

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