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GF4435	文件：153.07 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFET Features •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforLowVoltageDC/DCConverters •FastSwitchingforHighEfficiency	GE GE Industrial Company	GE
GF4435	文件：1.99289 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
GP4435	文件：288.77 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GSC4435	文件：307.63 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GT4435PW	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
H4435S	文件：186.89 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(-30V,-9.1A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
IM4435G	文件：1.14294 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF4435TRPBF	文件：1.14294 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
JMTP4435A	文件：369.255 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW

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详细参数

型号：
FDMC4435BZ
功能描述：
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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