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FR506	文件：39.42 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency *Pb/RoHSFree	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
FR506	文件：118.79 Kbytes Page：2 Pages	PlasticFastRecoverRectifierReverseVoltage50to1000VForwardCurrent5.0A Features •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10seconds,0.375(9.5mm)leadlength,5lbs.(2.3kg)tension •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
FR506	文件：459.2 Kbytes Page：4 Pages	5AmpFastRecoveryRectifier50to1000Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LowForwardVoltageDropandHighCurrentCapability •FastSwitchingSpeedForHighEfficiency •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FR506	文件：56.32 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERY	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FR506	文件：430.9 Kbytes Page：3 Pages	FastRecoverySiliconRectifiers	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
FR506	文件：83.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0AFASTRECOVERYDIODE Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
FR506	文件：118.79 Kbytes Page：2 Pages	PlasticFastRecoverRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
FR506GP	文件：496.57 Kbytes Page：4 Pages	5AmpGlassRecoveryRectifier50to1000VoltsPassivatedFast	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FRF506G	文件：124.31 Kbytes Page：2 Pages	Isolation5.0AMPS.GlassPassivatedFastRecoveryRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
FRF506G	文件：333.03 Kbytes Page：2 Pages	Isolated5.0AMPS.GlassPassivatedFastRecoveryRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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详细参数

型号：
FDMB506P
功能描述：
MOSFET LOW_VOLTAGE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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