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HAT1025R	文件：56.58 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Capableof2.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HAT1025R	文件：97.3 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Capableof2.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HAT1025R-EL-E	文件：97.3 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPChannelPowerMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Capableof2.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HDS-1025	文件：817.93 Kbytes Page：6 Pages	8-,10-,12-BitVideoSpeedHybridCurrent&VoltageOutD/AConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HDS-1025	文件：808.09 Kbytes Page：6 Pages	8-,10-,12-BitVideoSpeedHybridCurrent&VoltageOutD/AConverter	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HST-1025D	文件：192.7 Kbytes Page：3 Pages	nullSafetyswitch,doublethrow,nonfusible,60A,600VAC/VDC,4poles,60hp,NEMA1	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HST-1025DR	文件：192.7 Kbytes Page：3 Pages	nullSafetyswitch,doublethrow,nonfusible,60A,600VAC/VDC,4poles,60hp,NEMA1	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HYESD1025QG	文件：196.03 Kbytes Page：2 Pages	2ChannelLowCapacitanceESDProtectionDIodeArray	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IPP-1025	文件：64.849 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE2WAY	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IPS1025H	文件：3.94315 Mbytes Page：32 Pages	Highefficiency,high-sideswitchwithextendeddiagnosticsandsmartdrivingforcapacitiveloads Features •8Vto60Voperatingsupplyvoltagerange •Operatingoutputcurrent:2.4A(IPS1025H/HQ)or5.6A(IPS1025H-32/HQ-32) •Smartdrivingofcapacitiveload •Fastdemagnetizationofinductiveloads •Under-voltagelock-out •VCCover-voltageprotection •Outputoverloadandover-t	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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详细参数

型号：
FDMA1025P
功能描述：
MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDMA1025P	FAIRCHILD/仙童	25+	2*2DFN	39038	FAIRCHILD/仙童全新特价FDMA1025P即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	FDMA1025P	NK/南科功率	2025+	WDFN-6	3000	国产南科平替供应大量	询价
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