FDL100N50F中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，100 A，55 mΩ，TO-264数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 43mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A
•低栅极电荷（典型值 238nC）
•低 Crss（典型值 64pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.