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IXFE44N50Q	文件：559.15 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •ConformstoSOT-227Boutline •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance •Fastintrins	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFK44N50	文件：328.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFK44N50	文件：114.27 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features Internationalstandardpackages MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification SOT-227BminiBLOCwithaluminiumnitrideisolation LowRDS(on)HDMOS™process UnclampedInductiveSwitching(UIS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N50F	文件：99.15 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRFPowerMOSFETsF-ClassMegaHertzSwitchingSingleMOSFETDie SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRgHighdV/dt,Lowtrr Features RFCapableMOSFETs DoubleMetalProcessforLowGateResistance AvalancheRated LowPackageInductance FastIntrinsicRectifier	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N50F	文件：328.2 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK44N50P	文件：301.66 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode VDSS=500V ID25=44A RDS(on)≤140mΩ trr≤200ns Features Internationalstandardpackages UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK44N50P	文件：328.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FDH44N50_Q
功能描述：
MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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