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FDG6308中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDG6308

功能描述

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件大小

85.99 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

FAIRCHILD

中文名称

仙童半导体

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数据手册

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更新时间

2026-1-26 22:58:00

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FDG6308规格书详情

General Description

This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.

特性 Features

• –0.6 A, –20 V. RDS(ON)= 0.40 Ω@ VGS= –4.5 V

RDS(ON)= 0.55 Ω@ VGS= –2.5 V

RDS(ON)= 0.80 Ω@ VGS= –1.8 V

•Low gate charge

• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

• Compact industry standard SC70-6 surface mount package

Applications

•Battery management

•Load switch

产品属性

  • 型号:

    FDG6308

  • 功能描述:

    MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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