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FDG6308规格书详情
General Description
This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.
特性 Features
• –0.6 A, –20 V. RDS(ON)= 0.40 Ω@ VGS= –4.5 V
RDS(ON)= 0.55 Ω@ VGS= –2.5 V
RDS(ON)= 0.80 Ω@ VGS= –1.8 V
•Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
• Compact industry standard SC70-6 surface mount package
Applications
•Battery management
•Load switch
产品属性
- 型号：
FDG6308
- 功能描述：
MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHI |
23+ |
SOT-363 |
8650 |
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Fairchild/ON |
22+ |
SC706 |
9000 |
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FAIRCHILD |
23+ |
3880 |
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Fairchild |
1930+ |
N/A |
5492 |
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ON/安森美 |
24+ |
SC70-6 |
9600 |
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FAIRCHILD |
17PB |
SC70-6 |
2067 |
现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
10000 |
询价 | |||
Fairchild |
22+ |
NA |
5492 |
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FSC |
2016+ |
SC70-6 |
9000 |
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FairchildSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
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