订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
FDG1024N_ON/安森美_MOSFET Dual PT4 N 20/8V高捷芯城电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
FDG1024N
- 功能描述:
MOSFET Dual PT4 N 20/8V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市高捷芯城科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
傅冰玲
- 手机:
13378407305
- 询价:
- 电话:
0755-83062789
- 传真:
0755-82550578
- 地址:
深圳市福田区华强北街道华富路1006号航都大厦10B
相近型号
- FDDS10H04A
- FDG316P
- FDDS100H06-F085
- FDG326P
- FD-DF80R12W1H3_B52
- FDG327N
- FDD9507L-F085
- FDG327NZ
- FDD9411-F085
- FDG328P
- FDD9410L-F085
- FDG330P
- FDD9409L-F085
- FDG332PZ
- FDD9409-F085
- FDG410NZ
- FDD9407L-F085
- FDG6301N
- FDD8N50NZTM
- FDG6303N
- FDD8896
- FDG6304P
- FDD8882
- FDG6306P
- FDD8880
- FDG6308P
- FDD8878
- FDG6308P-NL
- FDD8876
- FDG6316P
- FDD8874
- FDG6317NZ
- FDD8870
- FDG6318P
- FDD8796
- FDG6318PZ
- FDD8782
- FDG6320C
- FDD8780-NL
- FDG6321C
- FDD8780
- FDG6322C
- FDD8778
- FDG6323L
- FDD8770
- FDG6323L-TP
- FDD86581-F085
- FDG6324L
- FDD86580-F085
- FDG6331L