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FDD86367_F085

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V,100A,4.2 mΩ,

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 100A, 4.2 mΩ, •典型 RDS(on) = 3.3 mΩ(VGS = 10 V、ID = 80 A)\n•典型 Qg(tot) = 68 nC(VGS = 10 V、ID = 80 A)\n•UIS 能力\n•符合RoHS标准\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDD86367_F085

Automotive Engine Control

文件:340.92 Kbytes 页数:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDD8647L

onsemi(安森美)
TO-252

onsemi(安森美)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

onsemi(安森美)

FDD8870

Fairchild
TO-252

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市创博伟业科技有限公司

FDD8876

ON
TO-252

ON

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • AEC Qualified:

    A

  • Halide free:

    H

  • PPAP Capablee:

    P

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V):

    80

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    100

  • PD Max (W):

    227

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    4.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    68

  • Ciss Typ (pF):

    4840

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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更多FDD86367_F085供应商 更新时间2025-10-8 15:08:00