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LMH6672	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6672LD	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6672LDX	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMH6672MA/NOPB	文件：1.5677 Mbytes Page：29 Pages	LMH6672Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6672MASLASHNOPB	文件：1.5677 Mbytes Page：29 Pages	LMH6672Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMH6672MAX	文件：599.87 Kbytes Page：14 Pages	Dual,HighOutputCurrent,HighSpeedOpAmp	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
FDD6672A
功能描述：
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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